mos管是金屬(metal)-氧化物(oxide)-半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬-絕緣體(insulator)-半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能，這樣的器件被認為是對稱的。本文收集整理了一些資料，期望能對各位讀者有比較大的參閱價值。

一、MOS場效應管判斷好壞

1、用測電阻法判別結型場效應管的電極

根據場效應管的PN結正、反向電阻值不一樣的現象，可以判別出結型場效應管的三個電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個電極，分別測出其正、反向電阻值。當某兩個電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時，則該兩個電極分別是漏極D和源極S。因為對結型場效應管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極G。也可以將萬用表的黑表筆(紅表筆也行)任意接觸一個電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個電極，測其電阻值。當出現兩次測得的電阻值近似相等時，則黑表筆所接觸的電極為柵極，其余兩電極分別為漏極和源極。若兩次測出的電阻值均很大，說明是PN結的反向，即都是反向電阻，可以判定是N溝道場效應管，且黑表筆接的是柵極;若兩次測出的電阻值均很小，說明是正向PN結，即是正向電阻，判定為P溝道場效應管，黑表筆接的也是柵極。若不出現上述情況，可以調換黑、紅表筆按上述方法進行測試，直到判別出柵極為止。

2、用測電阻法判別場效應管的好壞

怎么判斷場效應管好壞先測電阻法是用萬用表測量場效應管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同場效應管手冊標明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬用表置于R×10或R×100檔，測量源極S與漏極D之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐范圍(在手冊中可知，各種不同型號的管，其電阻值是各不相同的)，如果測得阻值大于正常值，可能是由于內部接觸不良;如果測得阻值是無窮大，可能是內部斷極。然后把萬用表置于R×10k檔，再測柵極G1與G2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值，當測得其各項電阻值均為無窮大，則說明管是正常的;若測得上述各阻值太小或為通路，則說明管是壞的。要注意，若兩個柵極在管內斷極，可用元件代換法進行檢測。

3、用感應信號輸人法估測場效應管的放大能力

怎么判斷場效應管好壞具體方法：用萬用表電阻的R×100檔，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D，給場效應管加上1.5V的電源電壓，此時表針指示出的漏源極間的電阻值。然后用手捏住結型場效應管的柵極G，將人體的感應電壓信號加到柵極上。這樣，由于管的放大作用，漏源電壓VDS和漏極電流Ib都要發生變化，也就是漏源極間電阻發生了變化，由此可以觀察到表針有較大幅度的擺動。如果手捏柵極表針擺動較小，說明管的放大能力較差;表針擺動較大，表明管的放大能力大;若表針不動，說明管是壞的。

根據上述方法，我們用萬用表的R×100檔，測結型場效應管3DJ2F。先將管的G極開路，測得漏源電阻RDS為600Ω，用手捏住G極后，表針向左擺動，指示的電阻RDS為12kΩ，表針擺動的幅度較大，說明該管是好的，并有較大的放大能力。

運用這種方法時要說明幾點：首先，在測試場效應管用手捏住柵極時，萬用表針可能向右擺動(電阻值減小)，也可能向左擺動(電阻值增加)。這是由于人體感應的交流電壓較高，而不同的場效應管用電阻檔測量時的工作點可能不同(或者工作在飽和區或者在不飽和區)所致，試驗表明，多數管的RDS增大，即表針向左擺動;少數管的RDS減小，使表針向右擺動。但無論表針擺動方向如何，只要表針擺動幅度較大，就說明管有較大的放大能力。第二，此方法對MOS場效應管也適用。但要注意，MOS場效應管的輸人電阻高，柵極G允許的感應電壓不應過高，所以不要直接用手去捏柵極，必須用于握螺絲刀的絕緣柄，用金屬桿去碰觸柵極，以防止人體感應電荷直接加到柵極，引起柵極擊穿。第三，每次測量完畢，應當G-S極間短路一下。這是因為G-S結電容上會充有少量電荷，建立起VGS電壓，造成再進行測量時表針可能不動，只有將G-S極間電荷短路放掉才行。

4、用測電阻法判別無標志的場效應管

怎么判斷場效應管好壞首先用測量電阻的方法找出兩個有電阻值的管腳，也就是源極S和漏極D，余下兩個腳為第一柵極G1和第二柵極G2。把先用兩表筆測的源極S與漏極D之間的電阻值記下來，對調表筆再測量一次，把其測得電阻值記下來，兩次測得阻值較大的一次，黑表筆所接的電極為漏極D;紅表筆所接的為源極S。用這種方法判別出來的S、D極，還可以用估測其管的放大能力的方法進行驗證，即放大能力大的黑表筆所接的是D極;紅表筆所接地是8極，兩種方法檢測結果均應一樣。當確定了漏極D、源極S的位置后，按D、S的對應位置裝人電路，一般G1、G2也會依次對準位置，這就確定了兩個柵極G1、G2的位置，從而就確定了D、S、G1、G2管腳的順序。

5、用測反向電阻值的變化判斷跨導的大小

怎么判斷場效應管好壞先對VMOSN溝道增強型場效應管測量跨導性能時，可用紅表筆接源極S、黑表筆接漏極D，這就相當于在源、漏極之間加了一個反向電壓。此時柵極是開路的，管的反向電阻值是很不穩定的。將萬用表的歐姆檔選在R×10kΩ的高阻檔，此時表內電壓較高。當用手接觸柵極G時，會發現管的反向電阻值有明顯地變化，其變化越大，說明管的跨導值越高;如果被測管的跨導很小，用此法測時，反向阻值變化不大。

二、MOS場效應管判斷注意事項

1、VMOS管亦分N溝道管與P溝道管,但絕大多數產品屬于N溝道管.對于P溝道管,測量時應交換表筆的位置.

2、有少數VMOS管在G-S之間并有保護二極管,本檢測方法中的1、2項不再適用.

3、目前市場上還有一種VMOS管功率模塊,專供交流電機調速器、逆變器使用.例如美國IR公司生產的IRFT001型模塊,內部有N溝道、P溝道管各三只,構成三相橋式結構.

4、現在市售VNF系列(N溝道)產品,是美國Supertex公司生產的超高頻功率場效應管,其最高工作頻率FP=120MHz,IDSM=1A,PDM=30W,共源小信號低頻跨導gm=2000μS.適用于高速開關電路和廣播、通信設備中.

5、使用VMOS管時必須加合適的散熱器后.以VNF306為例,該管子加裝140×140×4(mm)的散熱器后,最大功率才能達到30W。

本文只能帶領大家對MOS場效應管檢測方法及判別注意事項有了初步的了解，希望對大家會有一定的幫助，同時需要不斷總結，這樣才能提高專業技能，也歡迎大家來討論文章的一些知識點。