1.2kV 28A 1.56V@10A肖特基二極管
?型號：?SL12010B
?品牌：?Slkor(薩科微)
?封裝：?TO-220-2
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描述：二極管配置：獨立式 直流反向耐壓(Vr)：1.2kV 平均整流電流(Io)：28A 正向壓降(Vf)：1.56V@10A 反向電流(Ir)：2.5uA@1.2kV
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碳化硅肖特基二極管是一種金屬半導體器件，是通過整流金屬與N型半導體之間形成的接觸勢壘而制成的。肖特基二極管的基本結構為重摻雜N型4H-SiC晶片、4H-SiC外延層、肖特基接觸層和歐姆接觸層。碳化硅SBD彌補了硅SBD的不足。許多金屬，如鎳、金、鈀、鈦和鈷，都可以與碳化硅形成肖特基接觸，肖特基勢壘高度在1 eV以上。Au/4H-SiC接觸的勢壘高度可以達到1.73 eV，Ti/4H-SiC接觸的勢壘高度相對較低，但最高勢壘也可以達到1.1 eV。6H-SiC 與各種金屬之間的肖特基勢壘高度變化很大，范圍從 0.5 eV 到 1.7 eV。